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石瀧真之さんが「SSDM Young Researcher Award」を受賞しました。

  • 2017年3月29日(水)

 大学院理学府物理学専攻の石瀧 真之さんが「SSDM Young Researcher Award」を受賞しました。

 本賞は、国際学会International Conference on Solid State Devices and Materialsにおける若手研究者による発表のうち、特に優れた内容および発表により、本分野に新しい知見を与え、大きく発展に貢献すると認められるものに、授与されるものです。

受賞者

石瀧 真之 (大学院理学府物理学専攻 修士課程1年)

研究テーマ

 Experimental demonstration of a Josephson junction under spin current injection

研究概要

 強磁性体と超伝導体を双方と相性の良い非磁性常伝導体を介して接続した新奇なナノ構造を考案し、クーパー対と非平衡スピンの共存状態を実現することに成功した。このことは、超伝導近接効果の影響を受けた非磁性体中では、超伝導電流と純スピン流が同時に伝搬可能であることを示している。さらに、共存状態における磁気伝導特性を詳しく評価することで、クーパー対と非平衡スピンの相互作用について考察し、それらが独立に制御できることも実証した。

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